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Maier, M. (2010). Effizienz von gainn-leuchtdioden: struktur aktiver schichten unter dem einfluss substratinduzierter defekte. Unpublished Dissertation Dr. Albert-Ludwigs-Universität, Freiburg im Breisgau. 
Added by: Sarina (2012-11-17 11:59:30)   Last edited by: Sarina (2012-11-17 13:11:43)
Resource type: Thesis/Dissertation
BibTeX citation key: Maier2010a
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Categories: Deutsch = German
Keywords: Leuchtdiode = Light-emitting Diode
Creators: Maier
Publisher: Albert-Ludwigs-Universität (Freiburg im Breisgau)
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Abstract
Im Rahmen dieser Dissertation wird der Einfluss von den aktiven Bereich durchstoßenden Versetzungen auf die Lumineszenz-Eigenschaften von (AlGaIn)N-basierten Leuchtdioden mit Emissionswellenlängen um 400 nm untersucht. Die Leuchtdioden wurden epitaktisch mit dem Verfahren der metallorganischen Gasphasenepitaxie auf Substraten mit unterschiedlicher Versetzungsdichte hergestellt und eingehend bezüglich ihrer Material- sowie elektrischen und optischen Eigenschaften charakterisiert.
Ein Schwerpunkt liegt auf den sich aus einer reduzierten Versetzungsdichte ergebenden Möglichkeiten zur Variation des Schichtaufbaus des aktiven Bereichs und deren Einfluss auf das nicht-thermische Überrollen. Dieses Überrollen stellt aus wissenschaftlicher Sicht derzeit die größte Hürde für die Realisierung von Weißlicht-Leuchtdioden mit gleichzeitig hoher Leuchtdichte sowie hoher Effizienz und damit für einen Erfolg des Solid-State Lighting dar.
Als eine mögliche Lösung wird in dieser Arbeit die 18 nm breite Doppelheterostruktur als aktiver Bereich einer Leuchtdioden-Struktur auf freistehendem GaN-Substrat vorgestellt, die das Ergebnis der systematischen Variation von Indium-Gehalt und Quantenfilm-Breite im aktiven Bereich ist. Sie zeigt das Ausbleiben des nicht-thermischen Überrollens über einen weiten Stromdichtenbereich bei gleichzeitig hoher Effizienz und kann im Rahmen eines vorgestellten Ratengleichungsmodells theoretisch verstanden werden.
Added by: Sarina  
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